小米研發投入計劃——將原有的500億元提高到1000億元！

“這一年，可能是我受到用戶批評最多的一年。經歷了這些磨難跟痛苦之后，我更加堅信小米鐵律——技術為本。”12月28日，小米集團創始人、董事長兼CEO雷軍在現場對2021年做出總結。

今年雷軍與小米同事因小米11、小米Ultra等機器質量問題被網友反復質疑，雷軍稱他與同事的壓力很大，也會一條條仔細看網友評論。他稱，“2021年，對小米來說，是跌宕起伏的一年，雖然進展不少，但波折也很多。“

在研發投入方面，兩年前，小米發布了未來5年計劃總研發投入500億元的研發投入計劃。兩年時間過去了，小米的工程師團隊已超過了16000人，并已投入了220億元。今天，雷軍認為小米還有更大的夢想，500億遠遠不夠。小米計劃更新原有的研發投入計劃——將原有的500億元提高到1000億元，比原計劃翻一番。并表示小米正式對標蘋果，三年做到全球手機銷量第一。

前幾日，小米集團合伙人、高級副總裁盧偉冰在其個人微博發文表示，“將智能手機做小比做大更難，因為手機的內部空間有限，而用戶對于配置的要求又比較高;如果小米不做小尺寸旗艦，那么Android陣營就沒有一款產品可以對標iPhone13，那么用戶的選擇也是比較少的。”

對標蘋果進一步明確了小米轉型高端機型的方向，但小米與蘋果之間，在硬件制造、軟件開發、生態建設等領域的差距，仍需時間來彌補。此前高端機型小米11、小米11 Ultra因品控問題導致的燒主板、燒WiFi、黑屏等質量問題引發網絡熱議。

此次小米12 Pro搭載4nm制程Armv9架構新一代驍龍8旗艦平臺，升級過去的Armv8架構，官方宣稱新機將采用超大石墨層、VC均熱板、以及白石墨烯，應對驍龍8 Gen1芯片的發熱。高通公司產品管理副總裁 Ziad Asghar 此前表示，與前代產品相比，驍龍8 Gen1在CPU、GPU等多個領域，功效與散熱都將有所改善。

另外，此次小米12Pro搭載了120W小米澎湃秒充，其澎湃芯片P1采用了120W單電芯方案。澎湃P1充電芯片之前，小米曾發布28納米的澎湃S1芯片;2021年3月，小米發布ISP(圖像信號處理)芯片澎湃C1，搭載于小米首款折疊屏手機MIX FOLD上，小米集團手機部總裁曾學忠表示澎湃C1研發總投入約為1.4億元。

此次所發布的充電芯片澎湃P1在行業人士看來，雖然并非是大眾所關心的SoC芯片，但從形態來看也算是芯片的一種，且目前國內手機廠商直接做SoC芯片難度太大、投入成本過高，大部分廠商會選擇先從難度較低的領域入手，逐漸積累。

另一位芯片行業人士對第一財經記者表示，充電領域小米此前主要是通過購買其他廠商的快充方案進行，而快充芯片是手機廠商均需競爭的領域，與SoC相比較，充電模擬芯片工藝演進較慢，需要耐壓耐流，考驗廠商的芯片設計水平;而SoC主要是由數字IP堆積，工藝一直處于演進動態中。

另外，該人士稱，耐壓方面，快充芯片的適配度排名是碳化硅、氮化鎵、CMOS，而在消費級則主要以CMOS以及氮化鎵為主，此次小米快充芯片主要是與上海南芯半導體科技有限公司(簡稱“南芯”)合作完成。但截至發稿，小米方面暫未對該消息進行確認。

今年12月，南芯推出高集成度GaN解決方案SC305x系列，助力客戶打造高功率密度、高安全、高可靠性的快充產品。